Descrição
Memória RAM Samsung 8GB DDR5 5600MHz SODIMM para Portátil – M425R1GB4BB0-CWM PC5-44800 1.1V
Entre na nova era da computação com o módulo de Memória RAM Samsung 8GB DDR5 5600MHz SODIMM (M425R1GB4BB0-CWM). Esta memória DDR5 de 8GB foi concebida para extrair o máximo potencial dos processadores de última geração (Intel® Core™ de 12ª, 13ª e 14ª Gen ou AMD Ryzen™ Série 6000/7000/8000). Com uma velocidade impressionante de 5600MHz, este módulo oferece quase o dobro da largura de banda da tecnologia DDR4 anterior.
Sendo um componente original Samsung, este módulo garante estabilidade absoluta e eficiência energética superior, operando a apenas 1.1V. A arquitetura DDR5 inclui ODECC (On-Die Error Correction Code), o que significa que a própria memória corrige erros de dados em tempo real, resultando num sistema muito mais estável, ideal para sessões de gaming intensas, edição de vídeo 4K ou multitarefa pesada.
⭐ Destaques e Vantagens Principais da Memória RAM Samsung 8GB DDR5 5600MHz SODIMM
- Velocidade de Próxima Geração: Frequência de 5600MHz (PC5-44800) para uma resposta instantânea do sistema.
- Tecnologia ODECC Integrada: Maior fiabilidade de dados e estabilidade do sistema, reduzindo falhas em cargas de trabalho críticas.
- Eficiência Térmica e Energética: Funciona a 1.1V, gerando menos calor e poupando a bateria do seu portátil.
- Arquitetura Dual-Channel Sub-channel: A DDR5 divide o módulo em dois canais independentes de 32 bits, otimizando a eficiência do processador.
- Qualidade Samsung Original: Componentes de alta qualidade testados para garantir compatibilidade com as melhores marcas do mercado.
💻 Compatibilidade Sugerida
Este módulo é indispensável para portáteis modernos que utilizam a ranhura DDR5:
- Portáteis Gaming: ASUS ROG/TUF, MSI Katana/Raider, Lenovo Legion e HP Victus/Omen.
- Workstations Móveis: Dell Precision, HP ZBook e Lenovo ThinkPad P Series.
- Ultrabooks Premium: Modelos de 2024/2025 que suportam expansão de memória DDR5.
💡 Dica para Performance Extrema:
Para tirar o verdadeiro partido da tecnologia DDR5, recomenda-se a instalação de dois módulos idênticos de 8GB. Isto ativará o modo de canal quádruplo virtual (devido à arquitetura interna da DDR5), proporcionando uma largura de banda massiva que é crucial para o desempenho gráfico integrado e para o processamento de Inteligência Artificial.
📋 Especificações Técnicas: Samsung M425R1GB4BB0-CWM
| Característica | Detalhe |
| Marca | Samsung |
| Part Number | M425R1GB4BB0-CWM |
| Capacidade | 8 GB |
| Tipo de Memória | DDR5 SDRAM |
| Formato | SODIMM (262-Pin) |
| Velocidade | 5600 MHz (PC5-44800) |
| Voltagem | 1.1 V |
| Rank | 1Rx16 (Single Rank) |
| Latência CAS | CL46 (Padrão JEDEC) |
| Correção de Erros | On-Die ECC (ODECC) |








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